Name: Renesas Electronics America Inc 71V35761SA200BGG
Brand: Renesas Electronics America Inc
SKU: 71V35761SA200BGG
Price: 14.4622 USD
Availability: InStock
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Renesas Electronics America Inc 71V35761SA200BGG

Artikelnummer:

71V35761SA200BGG

Hersteller / Marke:

IDT (Renesas Electronics Corporation)

Teil der Beschreibung.:

IC SRAM 4.5MBIT PAR 119PBGA

Datenblätte:

1.71V35761SA200BG.pdf ···: Datenblätter
IDT Suffixes.pdf

PCN -Design/Spezifikation
All Dev Label Chg 1/Dec/2022.pdf PBGA Substrate 21-May-2022.pdf

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$14.4622

Spezifikationen
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Verpackung

~~Renesas Electronics America Inc 71V35761SA200BGG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments 71V35761SA200BGG.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite	-
Spannungsversorgung	3.135V ~ 3.465V
Technologie	SRAM - Synchronous, SDR
Supplier Device-Gehäuse	119-PBGA (14x22)
Serie	-
Verpackung / Gehäuse	119-BGA
Paket	Tray
Betriebstemperatur	0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart	Surface Mount

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Speichertyp	Volatile
Speichergröße	4.5Mbit
Speicherorganisation	128K x 36
Speicherschnittstelle	Parallel
Speicherformat	SRAM
Uhrfrequenz	200 MHz
Grundproduktnummer	71V35761S
Zugriffszeit	3.1 ns
71V35761SA200BGG Einzelheiten PDF [English]	71V35761SA200BGG PDF - EN.pdf

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https://www.Y-IC.com/RFQ-Quote.htm
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